Thư mục

Hỗ trợ kỹ thuật

  • (Hotline:
    - (04) 66 745 632
    - 0982 124 899
    Email: hotro@violet.vn
    )

Thống kê

  • truy cập   (chi tiết)
    trong hôm nay
  • lượt xem
    trong hôm nay
  • thành viên
  • Chào mừng quý vị đến với Thư viện Đề thi & Kiểm tra.

    Quý vị chưa đăng nhập hoặc chưa đăng ký làm thành viên, vì vậy chưa thể tải được các tư liệu của Thư viện về máy tính của mình.
    Nếu đã đăng ký rồi, quý vị có thể đăng nhập ở ngay ô bên phải.

    Chuyên đề: "Nguyên tắc hoạt động và khả năng khuếch đại của transistor"

    Nguồn:
    Người gửi: Nguyễn Hải
    Ngày gửi: 03h:57' 29-03-2008
    Dung lượng: 212.0 KB
    Số lượt tải: 672
    Số lượt thích: 0 người
    Trường THPT Tôn Đức Thắng
    Tổ: Vật lý – Kỹ thuật
    CHUYÊN ĐỀ THÁNG 01/ 2008
    NGUYÊN TẮC HOẠT ĐỘNG VÀ KHẢ NĂNG KHUẾCH ĐẠI CỦA TRANSISTOR
    Transistor là loại linh kiện bán dẫn ba cực. Nó có khả năng khuếch đại tín hiệu hoặc hoạt động như một khoá đóng mở, rất thông dụng trong ngành điện tử. Nó sử dụng cả hai loại hạt dẫn: điện tử và lỗ trống.
    Nhắc lại cấu tạo của transistor hai cực tính (Bipolar Junction Transistor – gọi tắt là BJT).
    BJT được cấu tạo bởi ba lớp bán dẫn tiếp xúc nhau tạo nên, trong đó lớp ở giữa có bề dày rất bé (cỡ 10-3 mm) và khác kiểu dẫn điện với hai lớp bên cạnh.
    Nồng độ tạp chất của ba lớp bán dẫn cũng không giống nhau. Lớp có nồng độ tạp chất cao nhất (nghĩa là nồng độ hạt dẫn đa số của nó lớn nhất_kí hiệu là N+ hoặc P+) gọi là miền phát (hay miền emitter-viết tắt E); lớp đối diện có nồng độ thấp hơn (kí hiệu là N hoặc P) gọi là miền thu (hay miền collector-viết tắt C); lớp giữa có nồng độ tạp chất rất thấp (khác kiểu dẫn điện với hai lớp kia) gọi là miền nền (hay miền base-viết tắt B).
    Chuyển tiếp giữa mối ghép B-E gọi là JE, chuyển tiếp giữa mối ghép B-C gọi là JC. hoạt động của BJT chủ yếu dựa vào hai chuyển tiếp này.
    Các lớp bán dẫn được đặt trong một vỏ kín (bằng nhựa hoặc kim loại) chỉ có ba điện cực thò ra ngoài. Kí hiệu quy ước của hai loại transistor NPN và PNP như hình. Mũi tên trên cực E chỉ chiều dòng điện chạy qua nó.
    Hãy xét nguyên tắc hoạt động của transistor loại NPN làm ví dụ (loại PNP cũng tương tự).
    Điều kiện cần thiết để transistor hoạt động là JE phải được phân cực thuận. Ta xét sơ đồ mạch điện như hình bên:
    Nguồn E1 có sđd một vài volt để phân cực thuận cho JE.
    Nguồn E2 thường từ 5 ( 20 (V) dùng phân cực nghịch cho Jc.
    RE và RC là các điện trở phân cực.
    Khi chưa có nguồn E1 và E2, trong mỗi vùng nghèo JE và JC sẽ tồn tại một điện trường tiếp xúc (hướng từ N sang P) duy trì trạng thái cân bằng của chuyển tiếp, khiến cho dòng điện tổng hợp qua mỗi chuyển tiếp bằng không.
    Khi có nguồn E2, chuyển tiếp JC bị phân cực nghịch nên điện trường tiếp xúc trong vùng nghèo này tăng ( sẽ có một dòng điện rất nhỏ chạy qua vùng nghèo này. Ta gọi đó là dòng điện ngược collector (ký hiệu là ICBO).
    Nếu có thêm nguồn E1 thì JE sẽ phân cực thuận ( điện trường tiếp xúc vùng này nhỏ lại và điện tử từ miền N+ tràn qua miền P, lỗ trống từ miền P tràn sang miền N+. Sau đó, các điện tử không cân bằng này tiếp tục khuếch tán qua miền Base tới vùng nghèo JC. Khi tới vùng JC, các điện tử này lập tức bì điện trường của E2 hút về phía collector tạo nên dòng điện qua cực C((( (IC).
    Gọi IE là dòng điện chạy qua cực Emitter (tương ứng với chuyển động của các điện tử từ miền N+ sang miền P). Khi đó dòng điện tạo nên bởi số điện tử chạy tới collector vừa nói ở trên sẽ là (IE. Trong đó, ( là tỷ số giữa số lượng điện tử tới được collector (không bị hao hụt dọc đường đi vì bị tái hợp) với tổng số điện tử phát đi từ emitter. (( còn gọi là hệ số truyền đạt).
    Như vậy, dòng IC = (IE + ICBO. (1)
    Trong miền base, một số lỗ trống phun sang miền N+ và tái hợp với điện tử gây nên sự thiếu hụt điện tích dương. Để bù lại, các điện tích dương sẽ từ nguồn E1 chạy vào miền base thông qua cực B ( tạo nên dòng IB. Theo định luật điểm nút: IE = IB + IC. (2)
    (trị số IB thường rất nhỏ so với IC và IE).
    Qua hoạt động của BJT ở trên, ta thấy: nếu IE biến đổi thì dòng IC cũng biến đổi theo. Bây giờ, nếu có thêm nguồn tín hiệu xoay chiều es (biên độ rất nhỏ) thông qua tụ C1 đặt vào cực E và cực B như hình. Nghĩa là, es đã xếp chồng lên điện áp phân cức vốn có của JE ( mức độ phân cực của JE sẽ thay đổi một cách tuần hoàn theo chu kỳ của tín hiệu es. Do đó, dòng điện tử từ cực E tới cực C sẽ tăng giảm theo qui luật của es. Nghĩa là, dòng IC đã thay đổi theo es. Dòng này tạo ra trên RC một điện áp biến thiên theo quy luật của es, nhưng biên độ lớn hơn es rất nhiều (nhờ RC khá lớn). Ta nói rằng transistor đã khuếch đại tín hiệu. Nếu giá trị RC càng lớn thì tín hiệu được khuếch đại càng nhiều. Nên điện trở RC còn được gọi là điện trở tải.
    Tụ C1 và C2 trong mạch có tác dụng ngăn chặn dòng điện một chiều và chỉ cho tín hiệu xoay chiều es đi qua.
    Cực B của mạch ở trên là cực chung của tìn hiệu vào (B và E) với tín hiệu ra (B và C) nên còn được gọi là mạch base chung (viết tắt là B.C). Hệ thức (1) và (2) là các hệ thức cơ bản của mạch B.C.
    Ở trên ta thấy, nếu JE được phân cực thuận và JC được phân cực nghịch thì transistor sẽ làm việc ở chế độ khuếch đại.
    Ngoài ra, nếu JE và JC cùng phân cực nghịch thị transistor sẽ ở chế độ khoá (ngưng dẫn); còn nếu JE và JC cùng phân cực thuận thì transistor sẽ ở chế độ mở (dẫn bão hoà). Hai chế độ hoạt động này của transistor được ứng dụng trong kỹ thuật số (mạch logic).

    ___________ HẾT __________

    Người viết: Nguyễn Hải.
    No_avatar

    bạn nào có đề kiểm tra trắc nghiệm môn công nghệ lớp 12 không? Nếu có thì gửi cho mình với nha! cảm ơn bạn nhiều! càng sớm thì càng tốt nha!^^!

     
    Gửi ý kiến
    print